Intel首推90纳米MLC NOR闪存_论文

维普资讯 http://www.cqvip.com 产 业 点 击  稚嘛 ∞o  k 另外 ,随 着各 项 电器 追求 面 板 大 型化 以及整 体轻   转 向 无线 电话 , …现 象在 年 轻 人 中 尤 为明 显 , 圳  这 特 足租 房 的和 单 身 的 年 轻 人。 任最 近 9 0大 的调 查 中购  买 无线 电话 l %的 消 费者 表 示 他 们 只 使 用 无线 电话 。 7   倜盎 还 显 示 , 大部 分消 费者 对 r购 买 的 无线 电话  薄 化 ,将 又人 义薄 的 玻璃 基 板等 材 料传 送 于 各工 艺之  间的传 送技 术 ,成 为各 大 工 厂建 厂 E期 开 始 就必 须 面  卜 J 临 的重 大课题 。日本 T GS E UN T N就 卅 发 出新 的传 送 装  置, 可传 送 晶 圆高分 子 膜 、 晶基 板 等超 薄 的物 品 。 液 该  新 装置 是利 用 真空 盘进 行 传送 ,该 真 空盘 是将 具 有许  多 细微 开 孑 的 多孑 质 板嵌 入铝 框 内 ,当薄  传送 物 塞  L L 住 细微 开 孑 即形成 真 空 ,可 比常 规 装 置减 少变 形 量 。 L   表 示满 意 , 将 有助 于 尢线 电话 家庭 的普 及化 。研 究  这 发 现 ,存 线 购 灭 无线 电话 和 亲 自购 买 的 满 意 度 都 很  高 。受访 者对 客 户 服 务代表 的  品服 务知 识 、 貌 和  礼 及 时性 给  很 高 的 评价 , 个 结 果 反 驳 了 消 费者 购 买  这 尢 线 电话 小满 意 的 观 点 。   分 之 … 的 消 费者表 示 更喜 欢 亲 自去 商店 购买 尢  ‘   线 产 Il 2 % 的 消 费者 选 择 网络 购 物 。尽 管大 部 分    ,而 7 u lt I 9 ne 首推 O纳米 ML   OR闪存  CN 目前 ,I tl 先 推 出 9 ne 率 O纳 水 多 级 单 元 ( MCL)   NOR闪存 M l ,它 是 8 ? 5 2 i 窝 内仔 ,它 的 出  款 l Mbt 蜂 消 费者 花 费在 购 买 无 线 电话 的 时 间 不超 过 一小 时 , 佴  调 查结 果 显 示 花 费时 问越 多 的 消 费者 的 满 意度 越 高 。   无线 电话 任整 个 美 吲 消 费类 电 子营 收 l 3 亿 美  , 0 2 元 中 ^ l %。面对 卜亿 美元 的 市场 ,业 界 了解 消 费者  1 现 将 加 强 Itl 中高 端 手 机 内存 的市 场 地 位 。 ne 在   采 用 9 米 技 术 的 M l 是 I tl O纳 8 ne 采用 l 纳 米技    术 的 2 6 i闪 存 的 延伸 产 品 ,同样 也针 对手 机 应 用  5 Mbt 市 场 它 比上 -4 拥 有 更 出色 的性 能 表  , 更 好 的  t 能 满 足 中高端 手 机 的 需 求 。   购 买 无 线 电 } 方 式 是 至 关 重要 的 。 为 尢 线 电话 的  舌的   价 格竞 争  经 越 米 越  难 , 售前 服 务 和 售 后 服 务显 然  是 未 来争 夺 律 户 的 手要 手 段 。   与 上一 代相 比 ,M 1 8最大 的进 步 在 于将 存储 密度  从 2 6 i提高 至 5 2 i 5 Mbt lMbt 。它能 提 供 1 81 3 0 /3 MHz 的  同步 _ 作 频率 , T   以往 的产 品 只有 5 /6 46 MHz 。此外 ,   AMD和 l M发表 “ B 硅张力"技术  近 } AMD ̄JBM宣 布其 “ 张  ” 术 ( t ie   { [ I 硅 技 Sr nd a M  1 写入 速 度 提高 J近 三倍 ,从 10 yeS c 高    8的   4 KB t e 提 / 至 50 B tS c 0 K ye e 。M  的 高密 度将 进 …步 满足 25 / 1   8 .G和  3 G手 机 不断 增 长 的增值 应 用需 求 ,例如 3 0 像 素数  0  码 照相 和 MP G一 频等 应 用 。具有 诸 多 高速 应 用需  E 4视 Sl o )可提 高 晶体 管 4 % 的 效率 。这 个芯 片联 盟 将  ic n i 0 用 该 项 技 术 r6 n 产 品 线 , 且 AMD计 划 将 在   5 m   20 0 6年 实 现量 产 。   “ 张  ”技 术 是 将 硅 原 子 晶格 之 间 的  离 托 得  硅 比普 通 品格 更 远 ,从  改 善 晶格 间的 电流 速 度 。Itl ne  已经 使 用 了这 项 技术 ,而 AMD 在 其 9 n 制造 T 岂  0m 中 电引 入 “ 张 力”  砖 。 正 如 之 前 已实现 的技 术 一 样 ,AMD和 I M 的硅  B 求 的3 G手 机将 获 益于 M l 的 1 3 8 3 MHz 处理 速度 。 高 其  速 度 优势 将 有效 减 少手机 从 闪 存读取 数 据 至 同步 动态  随机存 储 器 ( DRAM)的 频率 ,进 『 优 化 应 用的表 现  S 『 『 『 力 。因为  存 的 XI (X ct   lc )功 耗远 低 于手  P e e ueI Pae n 机 S AM 的功 耗 , 以此举 迩 能 延 长 电池 使用 寿命 。 DR 所   为帮 助设 计 商 减 少 研 发 时  ,ne还 推 出 _下 一  Itl , 代 免 授 权 软 件   存 数 据 合 成 器 ( ls  t  tgao , F ahDaaI e rtr n   怅 力技 术是 在 SGe 卜牛 长  层 纯 硅 。 由于 SGe的 品  i i

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